1MHZ 以内----以差模干扰为主，增大 X 电容就可解决1MHZ---5MHZ---差模共模混合，采用输入端并一系列 X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标 并解决;5M---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕 2 圈 会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减（diudiu2006）;对于 25--30MHZ 不过可以采用加大对地 Y 电容、 在新乡干式变压器外面包铜皮、改变 PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕 10 圈、在输 出整流管两端并 RC 滤波器。
30---50MHZ 普遍是 MOS 管高速开通关断引起，可以用增大 MOS 驱动新乡干式变压器，RCD 缓冲采用 1N4007 慢管，VCC 供电电压用 1N4007 慢管来解决。
100---200MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起，可以在整流管上串磁珠
100MHz-200MHz 之间大部分出于 PFCMOSFET 及PFC 二极管，现在 MOSFET 及 PFC 二极管串磁 珠有效果，水平方向基本可以解决问题，但垂直方向就很无奈了新乡干式变压器的辐射一般只会影响到 100M 以下的频段。也可以在 MOS，二极管上加相应吸收回路，但效率 会有所降低。
1.把噪音节点的 PCB 铜箔面积最大限度地减小;如开关管的漏极、集电极，初次级绕组的节点，等。
2.使输入和输出端远离噪音元件，如新乡干式变压器线包，新乡干式变压器磁芯，开关管的散热片，等等。
3.使噪音元件（如未遮蔽的新乡干式变压器线包，未遮蔽的新乡干式变压器磁芯，和开关管，等等）远离外壳边缘，因为在正常操作下外壳边缘很可能靠近外面的接地线。
4.如果新乡干式变压器没有使用电场屏蔽，要保持屏蔽体和散热片远离新乡干式变压器。
5.尽量减小以下电流环的面积：次级（输出）整流器，初级开关功率器件，栅极（基极）驱新乡变压器厂家动线路，辅助整流器。
6.不要将门极（基极）的驱动返馈环路和初级开关或辅助整流混在一起。
7.调整优化阻尼新乡干式变压器值，使它在开关的死区时间里不产生振铃响声。
8.防止 EMI 滤波新乡干式变压器饱和。
9.使拐弯节点和次级的元件远离初级的屏蔽体或者开关管的散热片。
10.保持初级的摆动的节点和元件本体远离屏蔽或者散热片。
11.使高频输入的 EMI 滤波器靠近输入电缆或者连接器端。
12.保持高频输出的 EMI 滤波器靠近输出电线端子。
13.使 EMI 滤波器对面的 PCB 板的铜箔和元件本体之间保持一定距离。
14.在辅助线圈的整流器的线路上放一些新乡干式变压器。
15.在磁棒线圈上并联阻尼新乡干式变压器。
16.在输出 RF 滤波器两端并联阻尼新乡干式变压器。
17.在 PCB 设计时允许放 1nF/500V 陶瓷电容器或者还可以是一串新乡干式变压器，跨接在新乡干式变压器的初级的静端和辅助绕组之间。
18.保持 EMI 滤波器远离功率新乡干式变压器;尤其是避免定位在绕包的端部。
19.在 PCB 面积足够的情况下，可在 PCB 上留下放屏蔽绕组用的脚位和放 RC 阻尼器的位置，RC 阻尼器可跨接在屏蔽绕组两端。
20.空间允许的话在开关功率场效应管的漏极和门极之间放一个小径向引线电容器（米勒电容，10 皮法/1 千伏电容）。
21.空间允许的话放一个小的 RC 阻尼器在直流输出端。
22.不要把 AC 插座与初级开关管的散热片靠在一起。
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